成都艺术图文腐蚀|成都艺术铜板腐蚀|成都艺术铝板腐蚀

     众所周知，成都艺术图文腐蚀和湿法清洗在很早以前就已在半导体生产上被广泛接受和使用，许多湿法工艺显示了其优越的性能。伴随IC集成度的提高,硅片表面的洁净度对于获得IC器件高性能和成品率至关重要, 硅片清洗也显得尤为重要.湿法腐蚀是一种半导体生产中实现图形转移的工艺
由于其高产出,低成本,高可靠性以及有很高的选择比仍被广泛应用.  
     
    湿法腐蚀工艺由于其低成本,高产出,高可靠性以及其优良的选择比是其优点而仍被广泛接 受和使用。基本上是各向同性,因此他们腐蚀后的尺寸要比定义的尺寸小,须在版上加一定量的BIAS.因此主要适用于大尺寸条宽的器件生产.同时现有的湿法腐蚀设备正朝着以下方向发展）自动化，2）在微处理器控制下提高在腐蚀状态下的重复性，以帮助工艺工程师提供更良好的制，阻止人为因素的影响。3）点控制过滤控制，以减小腐蚀过程中缺陷的产生，4）自动喷淋设备的开发。所有这些，都使湿法腐蚀有一个更美好的前景。与此同时，湿法腐蚀尤其不利的一面。

   其主要缺点有:   

    A: 腐蚀液及DI WATER的成本比干法腐蚀用气体成本高;  

    B: 在处理化学药液时给人带来安全问题;
    C: 光刻胶的黏附性问题D: 成都艺术铜板腐蚀有气体产生以及不彻底的腐蚀及均匀性差等问题    湿法腐蚀机理
  湿法腐蚀的产生一般可分为3步:  
  1: 反应物(指化学药剂)扩散到反应表面 

  2: 实际反应(化学反应)   

  3:反应生成物通过扩散脱离反应表面  在实际应用中，湿法腐蚀通常用来在SI衬底或簿膜上生成一定的图形，光刻版是典型的被用于覆盖所期望的表面区域防止被腐蚀液腐蚀掉，而光刻版在腐蚀后常被去掉，此在线择湿法腐蚀工艺时，必须线择腐蚀液，合适的形成版的材料（光刻胶）必须具有良好的腐蚀能力，良好的完整覆盖特性，光刻胶常被用来作为版层材料，但有时边缘的黏附性差，常用HMDS以增强其黏附性。  
湿法腐蚀反应时可能存在多种反应机理,许多反应是一种或多种反应共同作用的结果。最简单的一种是在溶液中溶解。  
  影响湿法腐蚀的因素  
湿法腐蚀质量的好坏，取决于多种因素，主要的影响因素有： 
  1: 掩膜材料(主要指光刻胶)：成都艺术铝板腐蚀显影不清和曝光强度不够，会使显影时留有残胶，通常会使腐蚀不净。 

  2:须腐蚀膜的类型(指如SIO2,POLY , SILICON等)  

  3:腐蚀速率：腐蚀速率的变化会使腐蚀效果发生改变，经常会导致腐蚀不净或严重过腐蚀，从而造成异常，影响腐蚀速率的因素可见下面的影响因素。
  4:浸润与否：由于在湿法腐蚀时由于腐蚀液与膜间存在表面张力，从而使腐蚀液难于到达进入被腐蚀表面和孔，难于实现腐蚀的目的。大多数情况下，为减小表面张力的影响，会在腐蚀槽中加入一定量的浸润。 
      由于湿法腐蚀的特性，在对不同的材料进行腐蚀时必须选择相应的腐蚀药液和工艺条件，在 开发湿法腐蚀和清洗菜单时必须注意此药液对硅片上其它膜层和材料的影响，同时必须考虑湿法腐蚀特性所带来的一些其它问题。在许多步工艺后有去胶工艺,包括干湿法腐蚀和离子注入后或光刻有误须返工的圆片.去胶的目的是快速有效的去胶而不影响下面的各层材料,成都艺术图文腐蚀在生产及技术上去胶工艺并不单一.去胶工艺主要分为干法和湿法去胶.本次主要讲述湿法去胶.